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Nov 11, 2023Toshiba lance le petit et le mince commun
KAWASAKI, Japon, 18 mai 2023--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (« Toshiba ») a lancé « SSM14N956L », un MOSFET canal N à drain commun de 12 V avec un courant nominal de 20 A, pour utilisation dans les circuits de protection de batterie dans les batteries lithium-ion (Li-ion), telles que celles des appareils mobiles. Les expéditions commencent aujourd'hui.
Ce communiqué de presse est multimédia. Consultez le communiqué complet ici : https://www.businesswire.com/news/home/20230517005369/en/
Toshiba : SSM14N956L, un MOSFET petit et fin à drain commun doté d'une très faible résistance à l'état passant (Graphique : Business Wire)
Les batteries Li-ion s'appuient sur des circuits de protection très robustes pour réduire la génération de chaleur lors de la charge et de la décharge et pour améliorer la sécurité. Ces circuits doivent présenter une faible consommation d'énergie et un boîtier haute densité, nécessitant des MOSFET petits et fins et offrant une faible résistance à l'état passant.
Le SSM14N956L utilise le micro-processus de Toshiba, tout comme le SSM10N954L déjà sorti. Cela garantit à la fois une faible perte de puissance, grâce à des caractéristiques de faible résistance à l'état passant[1] et une faible puissance en veille, grâce à des caractéristiques de courant de fuite grille-source à la pointe de l'industrie[1]. Ces qualités contribuent à prolonger les heures de fonctionnement de la batterie. Le nouveau produit utilise également un nouveau petit boîtier mince, TCSPED-302701 (2,74 mm x 3,0 mm, t = 0,085 mm (typ.)).
Toshiba continuera à développer des produits MOSFET pour les circuits de protection dans les appareils alimentés par des batteries lithium-ion.
Applications
Électronique grand public et appareils de bureau et personnels avec une batterie lithium-ion, y compris les smartphones, les tablettes, les banques d'alimentation, les appareils portables, les consoles de jeux, les brosses à dents électriques, les appareils photo numériques compacts, les appareils photo reflex numériques, etc.
Caractéristiques
Leader de l'industrie[1] faible résistance à l'état passant : RSS(ON)=1,1 mΩ (typ.) @VGS=3,8 V
Leader de l'industrie[1] faible courant de fuite grille-source : IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V
Boîtier petit et fin de type TCSPED-302701 : 2,74 mm x 3,0 mm, t=0,085 mm (typ.)
Structure à drain commun pouvant être facilement utilisée dans les circuits de protection de batterie
Remarque :[1] : parmi les produits ayant les mêmes notes. En mai 2023, enquête Toshiba.
Spécifications principales
(Sauf indication contraire, Ta=25°C)
Numéro d'article
SSM14N956L
SSM10N954L[2]
Configuration
N-canal drain commun
Notesmaximalesabsolues
Tension source-source VSSS (V)
12
Tension grille-source VGSS (V)
±8
Courant d'alimentation (DC) IS (A)
20,0
13.5
Caractéristiques électriques
Courant de fuite grille-source IGSS
max (μA)
@VGS= ±8V
±1
Source-sourceSur-résistance RSS(ON)
typ. (mΩ)
@VGS=4.5V
1,00
2.1
@VGS=3.8V
1.10
2.2
@VGS=3.1V
1.25
2.4
@VGS=2.5V
1,60
3.1
Paquets
Nom
TCSPED-302701
TCSPAC-153001
Type de taille (mm)
2.74x3,
t=0,085
1.49x2.98,
t=0,11
Exemple de vérification et disponibilité
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Remarque :[2] Produit déjà commercialisé.
Suivez le lien ci-dessous pour en savoir plus sur le nouveau produit.SSM14N956L
Pour vérifier la disponibilité du nouveau produit chez les distributeurs en ligne, visitez :SSM14N956LBuy Online
* Les noms de sociétés, les noms de produits et les noms de services peuvent être des marques de commerce de leurs sociétés respectives. sans préavis.
À propos de Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, l'un des principaux fournisseurs de solutions avancées de semi-conducteurs et de stockage, s'appuie sur plus d'un demi-siècle d'expérience et d'innovation pour offrir à ses clients et partenaires commerciaux des semi-conducteurs discrets, des LSI système et des produits HDD exceptionnels. Les 21 500 employés de l'entreprise dans le monde entier partagent la volonté de maximiser la valeur des produits et favorisent une collaboration étroite avec les clients dans la co-création de valeur et de nouveaux marchés. Avec des ventes annuelles approchant les 800 milliards de yens (6,1 milliards de dollars américains), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation se réjouit de construire et de contribuer à un avenir meilleur pour les gens du monde entier. Pour en savoir plus, rendez-vous sur https://toshiba.semicon-storage.com /ap-fr/top.html
Voir la version source sur businesswire.com : https://www.businesswire.com/news/home/20230517005369/en/
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